Новосибирские физики разработали флеш-память с использованием мультиграфена, способную по быстродействию превосходить аналоги из других материалов в два-три раза.
Как сообщает издание «Наука в Сибири», принцип действия такой флешки основан на инжекции (впрыскивании) и хранении электрического заряда в запоминающей среде (мультиграфене).
Кроме этого, необходимыми компонентами являются туннельный и блокирующий слои. Первый изготавливается из оксида кремния, второй - из высокопроницаемого диэлектрика.
Эффективность флеш-памяти, объясняют ученые, зависит от энергии, которая тратится на удаление электрона из вещества. А мультиграфен отличается большой работой выхода для электронов, около 5 эВ.
«Зажатый» между туннельным и блокирующим оксидами, мультиграфен, по словам физиков, представляет собой глубокую потенциальную яму, куда заряд скидывается и где потом долго хранится.
«Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд», - отмечает старший научный сотрудник Института физики полупроводников СО РАН Юрий Новиков.
О масштабном производстве флеш-памяти на основе мультиграфена сибирские физики пока не думают. Сейчас ведутся только фундаментальные исследования, работа с опытными образцами. Для коммерческого применения такого устройства в России требуется завод с современными технологиями, стоимостью около 5 млрд долларов.
Свежие комментарии